온세미컨덕터, 자동차용 자가 보호 로우 사이드
MOSFET 드라이버 IC 출시

- SOT-223, DPAK 및 SOIC8 패키징으로 제공되는 NCV840x 제품군,
- 까다로운 자동차산업 환경에 강력하고 신뢰성 있는 성능을 제공

고성능, 고효율의 실리콘 솔루션 분야 전문 기업인 온세미컨덕터(Nasdaq: ONNN, 지사장 이종덕)가 고집적 보호 성능을 갖춘 로우 사이드(low-side) 보호 MOSFET 제품군을 출시했다. AEC-Q101 표준에 맞는 NCV840x 제품군 소자는 까다로운 자동차/산업 환경에서 작동되는 스위칭 애플리케이션에 이상적이다.

강력하고 신뢰성 높은 작동에 맞춰 설계된  NCV8401, NCV8402, NCV8402D (듀얼 다이), NCV8403, NCV8405 제품들은 모두 포괄적인 자가 보호 성능 범위를 갖는다. 이 제품들은 온도 및 전류 제한, 정전기 방전(ESD) 및 과전압을 보호하도록 집적된 드레인게이트(drain-to-gate) 클램핑 기능을 포함한다.

온세미컨덕터 자동차 파워 제품 사업부 이사인 짐 알버를나즈(Jim Alvernaz)는 "차량 내 전자 작동량이 지속적으로 증가함에 따라 부품 수를 줄이고 유용한 공간을 절약할 수 있는 반도체 솔루션의 필요가 더해지고 있다"면서, "NCV840x 제품군들은 이러한 요건을 충족시킬 수 있는 동시에 까다로운 자동차 환경에 충분히 대처하는 시스템 디자인을 제공한다"고 언급했다.

NCV840x 드라이버는 저항성, 유도성 및 용량성의 다양한 로드를 바꾸는데 사용될 수 있으며 설계자들은 이 드라이버를 이용해 전기 기계에 관한 릴레이 또는 개별 회로를 더욱 작고 강력하며 더 긴 수명을 가진 대안으로 대체할 수 있다. 이 제품들에는 모두 로직 레벨의 인풋이 적용된다.

NCV8401, NCV8402/D, NCV8403은 42볼트(V)의 드레인소스 전압(drain-to-source voltage) 정격(V_DSS)과 33, 2, 15 암페어의 최대 드레인 전류(I_D)를 각각 갖는다. NCV8405는 40V_DDS으로 정격되며 6A의 최대 I_D 정격을 갖는다. 모든 소자에 적합한 게이트 소스(gate-to-source) 전압은 ±14 V이다.

새로운 제품군의 모든 제품들은 보다 나은 에너지 효율 시스템 설계를 가능케 하는 낮은 저항(R_DS(ON))값을 나타낸다. RDS(ON) 값(10V에서)은 각각 NCV8401에서 23밀리옴(mΩ), NCV8402/D에서 165mΩ, NCV8403에서 53mΩ, NCV8405에서 90mΩ이다.

모든 소자들은 -40 °C에서 150 °C의 광범위한 작동 온도 범위와 높은 정전 저항 레벨(20 °C의 접합 온도에서 4000V)을 갖는다. 턴오프(turn-off) 온도 제한은 VGS이 5 V/165 °C이고 VGS이 10 V일 때 175 °C이다.

NCV840x 소자는 무연(Pb-free) SOT-223, DPak, SOIC8 패키징으로 공급된다. NCV840x 소자는 1,000개 구매 기준으로 개당 미화 $0.25에서 $0.58 사이이다.