인피니언, 태양광 인버터 효율 ↑
'CoolSiC™ 1200V SiC JFET' 제품군 출시

반도체·시스템 솔루션 제공업체인 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 10년 이상의 SiC(Silicon Carbide) 기술 개발 분야의 노하우를 바탕으로 태양광 인버터 효율을 크게 향상시킬 수 있는 새로운 CoolSiC™ 1200V SiC JFET 제품군을 출시한다고 밝혔다.

새로운 CoolSiC™ 1200V SiC JFET 제품군은 IGBT와 비교시 스위칭 손실이 낮아 전반적인 시스템 효율은 떨어뜨리지 않으면서 더욱 높은 스위칭 주파수를 이용할 수 있으며, 이에 따라 더 작은 수동 소자들을 이용할 수 있어 체적인 솔루션 크기와 무게를 줄이고 시스템 비용을 낮출 수 있고, 동일한 인버터 하우징으로 더 높은 출력의 전력 솔루션을 구현할 수 있다고 인피니언은 소개했다.

항상 온(On) 상태인 JFET 기술을 안전하고 편리하게 이용할 수 있도록 하기 위해서 인피니언은 직접 구동(Direct Drive) 기술이라고 하는 개념을 개발했다. 이 기술은 JFET에 외부 저전압 MOSFET 과 전용 드라이버 IC를 결합함으로써 안전한 시스템 스타트업 조건을 달성하고 빠르게 제어된 스위칭을 가능하게 한다.

CoolSiC™ JFET 제품은 모놀리식으로 통합된 바디 다이오드를 특징으로 하며, 외부 SiC 쇼트키 배리어 다이오드와 비슷한 수준의 스위칭 성능으로 최상의 효율, 신뢰성, 안전성, 사용 편의성을 제공한다고 인피니언은 밝혔다.

인피니언 테크놀로지스의 고전압 전력 변환 제품 사업부문장인 얀-빌헬름 레이나에르트(Jan-Willem Reynaerts)씨는 “인피니언은 효율적인 전력 관리를 필요로 하는 시장을 겨냥해서 끊임 없이 혁신적인 기술들을 개발해 왔다. CoolSiC™는 매우 혁신적인 기술로 태양광 인버터의 성능을 한 차원 향상시킬 수 있도록 설계되었다. 인피니언의 새로운 SiC JFET 기술은 고객들이 차세대 환경 보호 솔루션을 개발할 수 있도록 한다.”라고 말했다.

CoolSiC™ JFET 제품과 드라이버 IC 제품의 샘플은 2012년 2분기부터 공급될 예정이며, 2013년 상반기에는 OEM 양산 착수에 들어간다는 계획이다.

인피니언의 새로운 CoolSiC™ 1200V SiC JFET 제품군에 관한 자세한 내용은 www.infineon.com/coolsic 를 통해 확인할 수 있다.

김원영 기자 goora@noteforum.co.kr

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